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Qualität Netzteil-ODM-Service GaN-Schnellladung PCBA-Design Spritzgusszertifizierung und schlüsselfertige Fertigung usine
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Netzteil-ODM-Service GaN-Schnellladung PCBA-Design Spritzgusszertifizierung und schlüsselfertige Fertigung

Produktübersicht

Schlüsselfertiges ODM-Netzteil mit GaN-Schnellladetechnologie. Kompaktes PCBA-Design mit hoher Leistungsdichte, Spritzguss mit Wärmemanagement, globale Sicherheitszertifizierung und kostenoptimierte Fertigung vom Prototyp bis zur Massenproduktion.

Produktanpassungsattribute

Servicetyp:
Komplettes schlüsselfertiges ODM-Netzteil mit GaN-Schnellladetechnologie
Adapter-Arten:
Wandladegerät, Single-Port-Wandladegerät, Multi-Port-Tischladegerät, Autoladegerät, kabelloses Ladeg
Leistungsbereich:
20 W bis 140 W Single Port, 65 W bis 240 W Multi Port insgesamt
Ladeprotokolle:
USB PD 3.1 PPS QC 5.0 Samsung AFC Huawei SCP FCP Apple MFI
GaN-Technologie:
Navitas NV6117 NV6138 Innoscience INN650D GaN Systems GS66508 Primärseitiger GaN HEMT
PCBA-Fähigkeit:
4-lagiger 2-Unzen-Kupfer-SMT-Planartransformator mit hoher Dichte und integrierten magnetischen ther
Konstruktion des Gehäuses:
Eigenes Spritzguss-PC, feuerhemmend, UL94 V0, Ultraschallschweißen, faltbares Steckerdesign
Schlüsselunterschied:
GaN-basiertes Design mit hoher Leistungsdichte mit hauseigener PCBA und Formung für eine kostenoptim
Hervorheben:

GaN Netzteil ODM Service

,

Schnelllade-PCBA Design und Fertigung

,

Spritzguss-Zertifizierung schlüsselfertig

Jetzt entwerfen

Grundlegende Eigenschaften

Herkunftsort:
Shenzhen, Guangdong, China
Markenname:
Rocfly
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, UL 62368-1, CE, FCC, RoHS, REACH, DOE Level VI, CoC Tier 2, PSE, KC, BIS, CCC
Modellnummer:
PD-GAN-PRO

Handelsimmobilien

Verpackung Informationen:
Einzelhandelsfertige Verpackung mit individueller Markengrafik; Geschenkbox oder Blisterschale mit A
Lieferzeit:
8–14 Wochen Design bis EVT; 4-6 Wochen Zertifizierung; 4 Wochen Hochlauf der Massenproduktion
Zahlungsbedingungen:
T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
300,000 Einheiten pro Monat

Produktbeschreibung

Netzteil-ODM: GaN-Technologie, Inhouse-PCBA und Spritzguss – Ein Partner liefert das komplette Ladegerät

Das USB-C-Netzteil ist zum volumenmäßig größten Zubehör für Unterhaltungselektronik weltweit geworden – angetrieben durch die EU-USB-C-Vorgabe, die zunehmende Verbreitung von Laptops mit USB-C-Ladefunktion und die schnelle Akzeptanz von Schnellladung bei Smartphones, Tablets, TWS-Ohrhörern und Handheld-Gaming-Konsolen. Aber der Aufbau eines wettbewerbsfähigen Netzteils im Jahr 2026 erfordert die Beherrschung von drei Disziplinen, die selten unter einem Dach vereint sind: GaN-basierte Hochdichte-PCBA-Designs (65W in ein Gehäuse von der Größe eines Golfballs packen), Präzisionsspritzguss mit UL94 V0 flammhemmenden Materialien (bei denen eine Abweichung der Wandstärke von 0,2 mm zu einem thermischen Hotspot führen kann) und die Navigation durch das globale regulatorische Labyrinth (UL, CE, PSE, KC, BIS, CCC – jeder mit eigenen Testanforderungen und Kennzeichnungsspezifikationen). Unser ODM-Service für Netzteile integriert alle drei Disziplinen im eigenen Haus. Das Ergebnis ist ein Ladegerät, das pünktlich geliefert wird, die Zertifizierung beim ersten Einreichungsversuch besteht und Ihre Ziel-BOM-Kosten erreicht – denn wir kontrollieren die PCBA, die Form und das Testlabor.

GaN-Technologie: Warum sie wichtig ist und wie wir sie einsetzen

ParameterSilizium (Si) MOSFETGalliumnitrid (GaN) HEMTDesign-Implikation
Schaltfrequenz Typisch 65-130 kHz Fähig für 200-500 kHz; typisch 250-300 kHz in optimierten Designs Eine 2-4-fach höhere Schaltfrequenz ermöglicht einen 2-3-fach kleineren Transformator und Ausgangskondensatoren. Der Transformator ist typischerweise die höchste Komponente in einem Netzteil – GaN ermöglicht direkt dünnere Designs.
Gate-Ladung (Qg) 15-30 nC für äquivalenten Rds(on) 2-6 nC Eine geringere Gate-Ladung bedeutet geringere Schaltverluste bei hoher Frequenz. Ein Si-MOSFET, der mit 300 kHz schaltet, würde 60-80 % seiner Nennleistung als Wärme abgeben. Ein GaN-HEMT bei gleicher Frequenz gibt 15-25 % ab.
Ausgangskapazität (Coss) 50-200 pF 10-30 pF Eine geringere Coss eliminiert die Notwendigkeit einer Snubber-Schaltung auf der Primärseite und spart 3-5 Komponenten und 0,15-0,30 $ an BOM-Kosten pro Einheit.
Rückwärts-Erholung Body-Diode mit 50-200 ns Trr (Reverse-Recovery-Zeit), verursacht harte Schaltverluste Keine Rückwärts-Erholung (keine Body-Diode). Null Qrr. Keine Rückwärts-Erholung ermöglicht Soft-Switching-Topologien (Active Clamp Flyback, ACF) bei hoher Frequenz mit minimalen Verlusten. Dies ist der grundlegende Grund, warum GaN-Netzteile bei gleicher Leistung 40-60 % kleiner sein können als Si-Netzteile.
Leistungsdichte 0,5-0,8 W/cm³ (typisches 65W-Netzteil: 55*55*28mm) 1,2-1,8 W/cm³ (typisches 65W-Netzteil: 45*45*22mm) GaN-Netzteile sind 40-50 % kleiner im Volumen. Bei einem 65W-Ladegerät verwandelt die Größenänderung das Produkt von „taschenfreundlich, aber spürbar“ zu „kaum größer als der Stecker selbst“.

Unsere GaN-Plattform: Drei Referenzdesigns

PlattformLeistungTopologieGaN-GerätControllerGröße (L*B*H)Ziel-BOM
Kompakt 30W 30W USB-C (20V 1,5A, PPS 3,3-11V 3A) QR Flyback Innoscience INN650D150A (650V 150mΩ) Southchip SC3056 oder Leadtrend LD5763 28*28*30mm (mit klappbarem US-Stecker) 2,80-3,50 $
Mittelklasse 65W 65W USB-C (20V 3,25A, PPS 3,3-21V 3,25A) Active Clamp Flyback (ACF) Navitas NV6138 (650V 160mΩ mit integriertem Treiber) Navitas NV6138 integriert 42*42*28mm 4,50-6,50 $
Hochleistungs 100W Multi-Port 2*USB-C + 1*USB-A, 100W gesamt (dynamische Leistungsverteilung) PFC + ACF Navitas NV6138 (primär ACF) + GaN Systems GS66516 (PFC) TI UCC28056 (PFC) + Navitas NV6138 (ACF) + Weltrend WT6671F (PD-Controller) 58*58*30mm 8,50-12,00 $

Die GaN-Kosten-Gleichung: Höhere BOM, niedrigere Systemkosten

Ein weit verbreiteter Irrtum ist, dass GaN-Ladegeräte von Natur aus teurer sind. Auf Komponentenebene ja – ein GaN-HEMT kostet 0,80-1,50 $ im Vergleich zu 0,20-0,50 $ für einen äquivalenten Si-MOSFET. Aber die Kosten-Gleichung auf Systemebene erzählt eine andere Geschichte:

KostenelementSi 65W DesignGaN 65W DesignDelta
Primärschalter 0,35 $ (Si-MOSFET) 1,20 $ (GaN-HEMT) +0,85 $
Transformator 0,65 $ (RM8-Kern, 22mm Höhe) 0,38 $ (ER14,5 planar, 12mm Höhe) -0,27 $
Eingangs-/Ausgangskondensatoren 0,85 $ (größere Werte für niedrigere Frequenz) 0,48 $ (kleinere Werte für höhere Frequenz) -0,37 $
Kühlkörper 0,30 $ (Aluminium-Stanzrippen) 0,08 $ (Kupferfolie auf PCB) -0,22 $
Snubber-Schaltung 0,20 $ (RCD-Snubber erforderlich) 0 $ (nicht benötigt mit GaN) -0,20 $
Gehäusekunststoff (Volumen) 0,42 $ (84,7 cm³) 0,27 $ (48,4 cm³, 43 % weniger) -0,15 $
Gesamt-BOM -0,36 $

Auf Systemebene hat das GaN 65W-Design eine um 0,36 $ niedrigere BOM als das Si-Äquivalent – obwohl das GaN-Gerät 3,4-mal teurer ist. Die Einsparungen ergeben sich aus den Komponenten, die schrumpfen oder verschwinden, als direkte Folge der höheren Schaltfrequenz. Dies ist die technische Geschichte, die generische ODM-Fabriken nicht erzählen können, da sie auf einer Si-Referenzplattform entwickeln und den Rest der BOM nicht an die Fähigkeiten von GaN anpassen können.

Inhouse-Spritzguss: Die thermische Realität kompakter Ladegeräte

Ein 65W GaN-Ladegerät, das mit 92% Wirkungsgrad arbeitet, gibt immer noch 5,2W Wärme in ein 42*42*28mm großes Kunststoffgehäuse ab – ein Volumen von nur 49 cm³. Das ist eine volumetrische Wärmedichte von 106 kW/m³, höher als bei den meisten Industrieelektroniken. Das Gehäuse ist nicht nur eine kosmetische Hülle; es ist eine Komponente für das Wärmemanagement. Jede 0,2 mm Wandstärke zählt. Die Wärmeleitfähigkeit des Kunststoffs (typischerweise 0,2 W/m·K für PC) bestimmt, ob die Innentemperatur bei 85 °C oder 105 °C stabilisiert. Bei 105 °C reduziert sich die Lebensdauer von Elektrolytkondensatoren um 50-70 %. Unsere Inhouse-Spritzgusskapazität ermöglicht es uns, die thermische Leistung des Gehäuses gleichzeitig mit dem thermischen Design der PCBA zu iterieren – Testen verschiedener Wandstärken, Hinzufügen interner Kupferfolienabschirmung als Wärmeverteiler und Anpassung der Form zur Integration von Wärmerippen, die Wärme von der Platine zur Außenfläche leiten. Ein ausgelagerter Formenbauer folgt einfach einer 3D-Datei; er kann die thermische Leistung nicht optimieren, da er die thermische Simulation der PCBA nie sieht.

Zertifizierung: Globale Konformität aus einer Hand

RegionSicherheitsstandardEffizienzstandardZusätzlich
Nordamerika UL 62368-1 DOE Level VI, California CEC FCC Part 15B, Energy Star (optional)
Europäische Union EN 62368-1 EU CoC Tier 2 (10 % über Level VI) CE EMC (EN 55032), ErP-Richtlinie
Japan PSE (DENAN Law, Kategorie A für Ladegeräte) Top Runner Program VCCI (freiwillige EMV)
Korea KC Safety (K 62368-1) K-MEPS Effizienz KC EMC
Indien BIS IS 13252 (Teil 1) BIS Effizienzplan BIS-Registrierung obligatorisch für Import
China CCC (GB 4943.1) GB 20943 Effizienz SRRC (falls ein Wireless-Charging-Modul enthalten ist)

Unser Zertifizierungsteam verwaltet den gesamten Konformitätsprozess. Für eine typische Produkteinführung in 6 Regionen (USA + EU + JP + KR + IN + CN) reichen wir gleichzeitig Testmuster ein und managen alle sechs Zertifizierungswege, um den kritischen Pfad zu minimieren. Eine gut gemanagte globale Zertifizierungskampagne dauert 6-8 Wochen von der Einreichung der Muster bis zum Erhalt aller Zertifikate. Die Alternative – der Kunde verwaltet 6 verschiedene Testlabore in 6 verschiedenen Zeitzonen – dauert typischerweise 12-16 Wochen und verursacht zusätzliche Projektmanagement- und Nachtestkosten von 15.000-25.000 $.

Kostenoptimierung: Wo wir Einsparungen finden

OptimierungMechanismusTypische Einsparung
GaN-System-BOM (wie oben detailliert) Höhere Schalterkosten, ausgeglichen durch kleinere Transformatoren, Kondensatoren, Kühlkörper, Snubber und Gehäuse. 0,30-0,50 $/Einheit im Vergleich zum Si-Äquivalent
Alternative Controller aus dem Inland Southchip SC3056 ersetzt den TI UCC28780 Active Clamp Flyback Controller. Leadtrend LD5763 ersetzt den OnSemi NCP1342 QR Flyback Controller. 30-40% Kostenreduktion bei gleicher Leistung. 0,20-0,40 $/Einheit
Planartransformator vs. Drahtwickeltransformator Planartransformatoren verwenden PCB-Leiterbahnen für Wicklungen, wodurch manueller Wickelaufwand entfällt. Bei einem Jahresvolumen von über 50.000 Stück ist die automatisierte Planarfertigung günstiger als manuelles Wickeln plus Qualitätskontrolle. Auch konsistentere elektrische Leistung (engere Toleranz der Streuinduktivität). 0,10-0,25 $/Einheit (bei über 50.000 Stück Volumen)
Inhouse-Spritzguss Werkzeugkosten und Kosten für Kunststoffteile integriert in die ODM-Vereinbarung. Kein Aufschlag für Formenlieferanten. Gehäusedesign optimiert für Materialeffizienz (dünne Wände, wo strukturell stabil, Rippen, wo nötig). 0,10-0,20 $/Einheit
Aggregierte Komponentenbeschaffung USB-C-Anschlüsse, gängige MLCCs, Elektrolytkondensatoren und Brückengleichrichter werden über unsere gesamte Adapterproduktlinie bezogen – nicht nur für Ihr einzelnes Projekt. 0,15-0,30 $/Einheit
Gesamtes Kostenoptimierungspotenzial 0,85-1,65 $/Einheit

Der vollständige ODM-Lebenszyklus

  1. Spezifikationsdefinition: Der Kunde gibt die Zielleistung, die Portkonfiguration, den Zielverkaufspreis und die regionalen Zertifizierungsanforderungen an. Wir empfehlen die GaN-Plattform, Topologie und den Controller-IC, der das Kosten-Leistungs-Ziel am besten erfüllt.
  2. ID- und Gehäusedesign: Kompaktes Gehäusekonzept mit klappbarem Steckerdesign, LED-Anzeige und markenspezifischem CMF. Thermische Simulation mit modellierten Wärmequellen der PCBA. Gehäuseprototyp mittels 3D-Druck für Passformprüfung.
  3. PCBA-Design: 4-lagige Hochleistungs-Leiterplatte mit integriertem Planartransformator. GaN-Geräteplatzierung optimiert für minimale Schaltloop-Fläche (kritisch für EMI). Thermische Via-Arrays unter allen wärmeerzeugenden Komponenten. Sicherheitsabstände gemäß IEC 62368-1 Kriech- und Luftstreckenanforderungen.
  4. EVT und DVT: Funktionstests über den gesamten Eingangsspannungsbereich (90-264VAC). Effizienzmessung gemäß DOE Level VI und CoC Tier 2. Thermografie bei Volllast. EMV-Vorabprüfung. Sicherheitsvorabprüfung (Hi-Pot, Ableitstrom, Temperaturanstieg).
  5. Zertifizierung: Gleichzeitige Einreichung bei UL, TÜV und anderen Zertifizierungsstellen gemäß Zielmärkten. Alle Zertifizierungsdokumente werden von unserem internen Compliance-Team verwaltet.
  6. Massenproduktion: Inhouse-SMT- und Durchsteckmontage. 100% ATE (Automated Test Equipment)-Tests: Eingangsleistung, Ausgangsspannung/-strom, Effizienz bei 4 Lastpunkten, Ripple und Rauschen, Hi-Pot-Test, Erdungskontinuität. End-of-Line-Akustiktest zur Erkennung von hörbarem Transformatorbrummen.

Senden Sie uns Ihre Zielspezifikation: Leistungsstufe, Portkonfiguration, Zielverkaufspreis und regionale Zertifizierungsanforderungen. Wir liefern Ihnen eine GaN-Plattform-Empfehlung, eine vorläufige BOM-Kostenanalyse, ein Gehäusekonzept und einen Projektzeitplan innerhalb von 7 Werktagen.

Gesamtbewertung
5.0
★★★★★
★★★★★
Basierend auf 50 jüngsten Bewertungen
Fünf-Sterne
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Alle Bewertungen
  • D
    domenico
    Mexico Aug 12.2026
    ★★★★★
    ★★★★★
    Good ODM sleep tracker solution. The PPG sensor data, SpO2 tracking, and HRV analysis worked well in our testing, and the team supported customization for our wearable project.
  • A
    Anderson
    Germany Aug 7.2026
    ★★★★★
    ★★★★★
    Their ODM team provided strong support for our AI smart glasses project, especially with the optical camera module array, Bluetooth/WiFi integration, and battery optimization. The prototype quality was solid, and communication throughout development was efficient and professional.
  • S
    smith
    United States Aug 5.2026
    ★★★★★
    ★★★★★
    We upgraded our robotic mower line with this ODM solution, and the GPS navigation plus vision obstacle avoidance performed impressively in field tests. Smart charging and the BMS battery management system made the product more reliable and user-friendly.

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